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論文

Characterization of interface defects related to negative-bias temperature instability in ultrathin plasma-nitrided SiON/Si$$<$$100$$>$$ systems

藤枝 信次*; 三浦 喜直*; 西藤 哲史*; 寺岡 有殿; 吉越 章隆

Microelectronics Reliability, 45(1), p.57 - 64, 2005/01

https://doi.org/10.1016/j.microrel.2004.02.017
 被引用回数：11 パーセンタイル：51.31(Engineering, Electrical & Electronic)

界面準位測定・電子スピン共鳴・シンクロトロン放射光XPSを行って、プラズマ窒化酸化膜の負バイアス温度不安定性(NBTI)が主として界面Siダングリングボンド(P$$_{b}$$センター)からの水素脱離で起こることを明らかにした。NBTIでは非P$$_{b}$$欠陥も生成されるが、窒素ダングリングボンドは含まれない。プラズマ窒化はSiO$$_{2}$$/Si界面のストイキオメトリを劣化・界面準位を増加させるとともに、新たなP$$_{b}$$欠陥を生成する。窒化起因NBTIはこの界面欠陥の量的・質的変化に起因すると考えられる。

論文

ESR study of Pb$$^{3}$$$$^{+}$$ ions in cubic PbF$$_{2}$$ crystals irradiated with $$gamma$$-rays and neutrons at low temperatures

西 正任*; 原 秀男*; 植田 義文*; 数又 幸生

Journal of the Physical Society of Japan, 42(6), p.1900 - 1905, 1977/06

https://doi.org/10.1143/JPSJ.42.1900
 被引用回数：11

77Kで、$$gamma$$線照射したPbF$$_{2}$$のESR測定をおこなった結果、スペクトルが観測された。このスペクトルを解析した結果、Pb$$^{3}$$$$^{+}$$の6S電子の約60%が、Pb$$^{3}$$$$^{+}$$イオンの場所に局在し、残り40%は、周囲の弗素イオンに拡がっていることが、解った。周囲のイオンとこの6S電子との相互作用は、1次の摂動計算により説明出来た。その結果、超々微細構造定数は、A$$_{I}$$I=164G、A$$_{L}$$=31Gであった。

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